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NMOS最新视觉报道_pmos和nmos的源漏端(2024年11月全程跟踪)

内容来源：冲顶技术团队所属栏目：热点更新日期：2024-11-28

NMOS

X:@onnmoshire 国光社

光耦控制NMOS管关断功能！

袋鼠学PSLE课，开课啦！大家好！最近有不少家长来咨询我们，希望我们能开设PSLE课程，帮助孩子们备考。经过一番考虑，我们决定正式推出袋鼠学的PSLE数学课程！𐟎‰ 首先，大家可能对我们袋鼠学的奥数教学印象很深。我们在过去的NMOS、RIPMWC、SMOPS等竞赛中都取得了不错的成绩。比如，2023年NMOS比赛中，我们获得了19金、5银、2铜的好成绩；在RIPMWC比赛中，25名学员参加，11名进入第二轮，其中1名学员还获得了OPEN组第1名；此外，还有20%的学员获得了SMOPS白金奖。家长们对我们的PSLE课程非常期待，所以我们特意整理了一些PSLE的考点信息，供大家参考。 𐟓Š 近三年考点分布我们分析了2020-2022年近三年的PSLE考点情况，按照12个模块进行了详细划分。 𐟓ˆ PSLE重难点分析我们深入研究了PSLE的重难点，帮助大家更好地把握考试方向。 𐟓š 袋鼠学体系介绍袋鼠学的PSLE课程体系旨在通过系统的学习和练习，帮助孩子们在考试中取得优异成绩。 𐟓† P5、P6寒春大纲我们还特别整理了P5、P6寒春的大纲，供大家参考。 𐟌Ÿ PSLE课程体系特点我们的课程特点鲜明，注重基础知识的巩固和解题技巧的提升。最后，当然要介绍一下我们的老师啦！我们的老师都有着丰富的教学经验和深厚的学科知识，能够为孩子们提供最优质的教学服务。希望这些信息能帮助到大家，如果有更多问题或需要了解更多信息，欢迎随时联系我们！𐟓ž

英集芯IP5901是一款专为手电筒、蓝牙音响、智能手环、剃须刀等小型电子设备设计的低功耗8位POWER MCU芯片，内置5V输出和负端NMOS管、同步整流的升压DC-DC，功率管内置，提供最大800mA输出电流。集成锂电池充电管理功能，最大充电电流可达500mA。升压效率高达93%。兼容多种电池规格，如4.2V-4.4V电池。提供多个IO口，支持多种输入输出需求。待机功耗最小可至15ⵁ，满足对于电源管理和节能要求较高的应用场景。「芯片」「电子元器件」「半导体」「半导体超话」深圳ⷦ𗱥œ𓥸‚至为芯科技有限公司

X:@onnmoshire 国光社男大小姐与汉堡包

电解电容变压器NMOS驱动电压波形！

如何在Cadence中仿真gm/id 想要了解如何在Cadence中进行gm/id仿真吗？这里有一份详细的指南，帮助你快速上手。𐟓š 𐟔 首先，你需要了解gm/id仿真的基本概念。gm/id是晶体管的一个重要参数，对于电路设计和优化至关重要。 𐟖寸在Cadence中，你可以使用ADE explore工具来进行仿真。不过，实际上，直接使用ADE L进行仿真可能会更方便。以下是具体步骤： 1️⃣ 将mos管的W、L、Vgs、Vds等参数设置为变量，并导入ADE中。其中，Vds最好设置为Vdd/2，Vgs则可以通过DC仿真扫描一个范围，例如从0.2V开始扫描。 2️⃣ 进入parametric analysis，设置L的参数扫描范围。根据你的需求，选择合适的管子尺寸范围。 3️⃣ 在仿真NMOS时，主要参考vgs-gmid以及gmid-id/w这两种图进行设计。同时，也可以扫描出self-gain以及Ft的曲线，以观察整体变化趋势。 4️⃣ 仿真PMOS时，由于id是负数，记得在公式中加上绝对值函数abs()。 𐟓ˆ 完成这些步骤后，你就可以轻松地进行gm/id仿真了。如果在这个过程中遇到任何问题，可以寻求专业人士的帮助。 𐟔젦ŽŒ握gm/id仿真技巧对于IC设计者来说至关重要。通过这份指南，你可以更快地熟悉Cadence的仿真流程，并应用于实际设计中。

adhd状态观察HelsingenMosken那半支羽毛的微博视频

电源管理芯片UC3842的第6脚是推挽输出端，其输出的PWM波直接驱动NMOSFET。关于您提到的第6脚输出串联隔离电容会增加负压关断能力，并使MOS关断功耗降到最低，发热率急剧下降的情况，可以从以下几个方面来解释：负压关断能力：串联隔离电容可以在MOS管关断时，通过其充放电特性，帮助吸收或释放MOS管栅极上的电荷，从而加速MOS管的关断过程。这种快速关断有助于减少漏电流和开关损耗，进而提高负压关断能力。但需要注意的是，这种效果并不直接来源于串联隔离电容本身，而是电容与电路中的其他元件（如MOS管、电阻等）共同作用的结果。降低MOS关断功耗：在MOS管关断过程中，由于电容的充放电作用，可以更快地拉低MOS管栅极的电压，使其迅速进入截止状态。这有助于减少MOS管在关断过程中的能量损耗，从而降低整个电路的功耗。发热率下降：由于MOS管关断功耗的降低，其发热量也会相应减少。同时，电容的加入有助于改善电路的滤波效果，减少电压波动和纹波，进一步降低电路中的发热量。这些都有助于提高电源管理芯片的效率和稳定性。然而，需要注意的是，在实际应用中，串联隔离电容的选择和电路设计需要综合考虑多种因素，如电容的容量、耐压值、ESR（等效串联电阻）等，以及电路中的其他元件参数和布局。不合理的电容选择和电路设计可能会导致电路性能下降甚至损坏。综上所述，虽然串联隔离电容可以在一定程度上改善UC3842电源管理芯片的负压关断能力、降低MOS关断功耗和发热率，但具体效果还需根据实际应用情况进行评估和调整。#热点引擎计划#

设计PCB时的EMC注意事项 1、接口与保护（1）走线通流量有雷击浪涌测试（带有防雷型TVS管、陶瓷气体放电管）要求的I/O端口，信号线的通流量要足够，走线原则上要求：﹥15mil/1盎司。（2）走线的顺序走线遵循“防护+滤波+接口芯片”，即信号线先“走到”防护器件（如TVS管、保险丝），然后通过电容、电阻等滤波，最后才连接到需要防护的器件。严禁外部干扰未经防护或滤波器件的瞬态抑制或滤波，到达接口芯片。防护或滤波器件的泄放引脚，必须低阻抗的连接到机壳地（PG）或数字地（GND）。（3）器件的摆放消除“侧击”（空间放电）：易受ESD干扰的器件，如NMOS、CMOS器件等，尽量远离易受ESD干扰的区域100mil以上（如单板的边缘区域、金属连接器外壳），防止外部电磁干扰，通过上述部位侧击到敏感器件。防止内部干扰外泄：晶振等高频干扰源，必须远离板边或金属连接器1 inch以上；须防止外部电磁干扰“绕开”防护或滤波器件（含信号线上的电阻），侧击到敏感或接口芯片。备注：接口是EMC设计的重中之重，解决了接口（信号端口、电源端口）问题，也等于解决了产品绝大多数EMC问题。 2、时钟与晶振（1）晶体、晶振和时钟分配器与相关的IC器件要尽量靠近；（2）时钟电路的滤波器(尽量采用“€型滤波)要靠近时钟电路的电源输入管脚；（3）有源晶振输出串接电阻和并联电容；（4）时钟分配器没用的输出管脚通过电阻接地；（5）晶体、晶振和时钟分配器的布局要注意远离大功率的元器件、散热器等发热的器件；（6）晶振、周期性信号远离板边和接口器件1 inch以上；（7）有金属外壳的晶体，其外壳须与表层的局部地相连；（8）时钟电路的电源加宽，并有滤波电路；（9）超过1 inch的时钟线走内层；（10）走内层的时钟线在表层的走线<50mil；（11）严禁时钟走线换层时更换“参考平面”，以及返回路径跨分割；（12）时钟线是否采用立体包地；（13）时钟相关芯片（如晶振、晶体）在表层有局部的地平面包绕，该地平面通过多个过孔与地层相连；（14）时钟线与其它信号线的间距达到5W（W为线宽）；晶振、晶体下放原则上不允许走其他信号线，尤其是I/O线。 3、开关电源（1）开关电源（含开关电源芯片，下同）远离ADDA转换器、模拟器件、敏感器件、时钟器件；（2）开关电源布局要紧凑，输入输出要分开，防止输入输出之间的串扰；（3）严格按照原理图的要求进行布局，不要将开关电源的高频滤波（0.1uf以下）电容随意放置

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