vgs最新娱乐体验_vgs称为什么电压(2024年11月深度解析)
功率放大器设计指南:直流仿真篇 嘿,大家好!今天我们来聊聊功率放大器设计的第一步——直流仿真。这个系列会用到ADS软件,所以如果你还没安装,赶紧去下载吧! 首先,什么是直流仿真呢?简单来说,就是通过模拟电路在直流条件下的行为来预测其在交流条件下的表现。我们可以通过直流仿真来画出漏极电流和漏源电压的曲线,从而确定工作点。但其实,从直流仿真中我们还能预估很多其他参数的极限,这对后续的仿真非常有帮助。 好了,废话不多说,直接上干货!首先,我们用ADS官方提供的模板。你可以在官网发邮件领取这个模板。拿到模板后,直接套用就行。然后,我们需要放置M1标记在膝区电压,M2选择你想要的工作点。 接下来是原理图的部分。其实也不复杂,主要是设置一下VGS和VDS的仿真范围。仿真完成后,你会得到一些关键数据,比如最大输出功率、小信号增益、大信号增益、最大效率、导通角和占空比。我在这里选择的直流工作点是VDS=28V、VGS=-1V。 总结一下,直流仿真的操作其实很简单,主要是用模板就行。但通过仿真,我们可以预估很多参数的值,这对后续的设计非常有帮助。希望这篇指南能帮到你,祝大家设计顺利!
MUTU品牌 ✨今天来聊聊MUTU品牌,这个品牌真的让我眼前一亮!最近我入手了一款MUTU滑雪护具,简直是滑雪爱好者的福音,轻便又舒适,真心推荐给大家。 TU护具的核心优势 MUTU护具的最大亮点就是它的轻便贴身塑形。采用了Coolmax纱线纺织科技,穿上后感觉非常轻盈、柔软且透气。更棒的是,它还特别保暖,即使在寒冷的冬天也能保持身体的温暖。这个护具贴身穿着非常舒适,而且反复洗涤后依然不掉色不缩水,真的很耐用。 亚洲版型设计也是一大卖点。独立开模后,关节位护片下部改为内圆弧装,解决了卡腿的痛点。关节位护片材质进行了适当软硬度调整和增厚处理,既提升了舒适度又增加了防护面积。 材质技术方面,采用VGS高机能材料。这种材料在受到冲击时能够瞬间结合,吸收并分散冲击,通过优异的缓冲性和吸能性对身体进行有效保护。传统护具的垫片通常是单一的,而MUTU的垫片采用了灰黄双护片的“复合”结构,内衬vur慢回弹吸能新材料,外部则是vur快速回弹缓震,快慢复合,提供了全面的防护性。 馨ᥝ化设计的独特之处 MUTU的模块化设计也是它的一大亮点。全身护片的“巧克力”模块化处理,将不同部位的护片设计为不同硬度。头尾采用高硬度防护片防穿刺,中间采用低硬度护片提升舒适性。关节位护片采用内圆弧装设计,减少卡腿现象,材质进行了软硬度调整,增加了关节保护。 复合材料的应用也大大提高了防爆性能和防护效果。这种设计不仅提升了护具的耐用性,还使其在不同场景下都能提供出色的防护性能。 祄🧫妊䥅𗤺祓 除了成人护具,MUTU还推出了儿童护具产品。儿童滑板护具采用独特的轻量化设计,确保孩子在穿着时不会增加额外负担。儿童滑板鞋则结合了安全性和舒适性,具备防滑和耐磨的特点。儿童滑雪服的设计也非常贴心,既保暖又灵活,确保孩子在滑雪时的舒适性。 这些产品不仅功能强大,还非常注重细节设计。例如,儿童滑板鞋的防滑设计让孩子在玩耍时更加安全,而儿童滑雪服则采用了保暖且灵活的设计,确保孩子在寒冷的天气里也能自由活动。 ⛷️总结下来,MUTU品牌真的在护具领域做得非常出色。无论是成人还是儿童,都能找到适合自己的产品。如果你对护具还有什么疑问或者想了解更多,欢迎在评论区留言哦!期待和大家一起讨论更多关于护具的知识!
MOSFET揭秘:双向导通奇迹 砧郞ᧈ𝨀 们,你们是否对MOSFET的内部结构和工作原理感到好奇?今天,我们将一起揭开这个双向导通元器件的神秘面纱! 首先,让我们回顾一下MOSFET的基本结构。它由栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)和氧化物(Oxide)组成,其中还包括一些掺杂区域,如n+和p型区域。 接下来,我们探讨MOSFET的内部结构。它的结构是完全对称的,这意味着左右两侧是相似的。然而,在实际应用中,我们将源极(S)和衬底(B)连接在一起,而衬底和漏极(D)组成了一个PN结,称为体二极管。 MOSFET的工作原理是通过栅极和衬底之间的感应电场来产生导电沟道。电场越大,导电沟道越厚。理论上,当栅极和源极之间的电压(Vgs)大于开启电压(Vth)时,MOSFET可以实现双向导通。这意味着,无论施加正向还是反向电压,MOSFET都能导通。 ᠥ駔荏SFET的这一特性,我们可以设计各种电路,例如防反接电路。通过P-CHMOSFET或N-CHMOSFET组成的防反接电路,可以有效防止电源极性接反的问题。 探索MOSFET的内部结构和原理,不仅能够让我们更深入地了解硬件设计,还能为我们在实际应用中提供更多的灵感和创意。让我们一起继续探索这个充满魅力的电子世界吧!
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芯闻资讯|方正微电子2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力 10月16日,方正微电子发文称,公司作为第三代半导体领域的IDM企业,当前有两个fab。Fab1当前已实现SiC产能9000片/月(6英寸),预计2024年底产能将达到1.4万片/月,2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力,GaN当前产能4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将于2024年底通线,长远规划产能6万片/月。此外,方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力,中国第一。 当前,方正微电子系列产品覆盖了新能源汽车应用的全场景:1200V 16m/18m/20m褺主驱逆变控制器,1200V 35m/60m/85m褺OBC,1200V 60m/85m褺DC/DC,1200V 60m/85m褺空调压缩机,1200V 16m/20m/35m/60m褺充电桩等场景。方正微电子车规1200V SiC MOS产品已经规模应用,特别是在新能源汽车主驱控制器上规模上车。 方正微电子表示,公司车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16m1200V/20m鱦祈𖥙襺用芯片为例,其Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等核心性能关键指标,可媲美当前高端新能源车上应用的国际同行SiC MOS产品,个别指标领先,完全符合新能源汽车应用需求。 据悉,方正微电子工规SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列产品早已于2023年一季度开始大规模量产,广泛应用在光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域,目前已出货SiC晶圆超4万片。
小米汽车价格预测:19.8万起 大家好,今天我们来聊聊小米汽车的价格。作为一个科技迷,我对小米汽车的价格区间有一个大致的猜测,觉得它可能会在19万到33万之间。这个价格区间可以参考一下阿维塔12、极氪007、001、汉EV和Model Y这些车型。 影响售价的配置 首先,我们来看看哪些配置会影响到售价。电池、电机、激光雷达、辅助驾驶、电动尾翼这些都会对价格产生重要影响。 基础版本:小米 Su7 air 基础版本的小米 Su7 air,价格大概在19.8万左右。这个版本配备的是70度电池,续航大约600公里。电池成本大概在10万左右,单电机小米V6电机加速大概5秒多,成本在3万左右。标配8295芯片、激光雷达、车身和内饰,成本大约6万。整车成本在16万左右,考虑到20%的毛利,售价定在19.8万左右,感觉还是比较合理的。 长续航版:小米 Su7 pro 如果你需要更长的续航,可以考虑小米 Su7 pro,价格在25.8万左右。它配备的是110度电池,续航大约800公里,电池成本在11万左右。单电机小米V6电机,加速也是5秒多,成本在3万左右。标配8295芯片、激光雷达、车身和内饰,再加上真皮纳帕和音响,成本大约7万。整车成本在21万左右,售价定在25.8万,感觉也比较合理。 性能版:小米 Su7 Max 如果你追求更高的性能,可以选择小米 Su7 Max,价格在29.8万左右。它同样配备110度电池,续航800公里,电池成本在11万左右。双电机配置,一个小米V6电机和一个VGS电机,加速大约3秒,成本在7万左右。标配8295芯片、激光雷达、车身和内饰,再加上真皮纳帕和音响,成本大约7万。整车成本在25万左右,售价定在29.8万,感觉还是比较合理的。 可选配置 劊除了基础配置,还有一些可选配置: 高阶辅助驾驶:预计1-2万元左右 电动尾翼:预计0.5-1万元左右 特殊性颜色:预计0.5-1万元左右 音响系统:预计1-2万元左右 空悬系统:预计1.5万元左右 轮毂和尺寸:预计1万元左右 这些选配可以在一定程度上差异化价格,满足不同消费者的需求。 总的来说,小米汽车的价格还是比较有竞争力的,尤其是考虑到它的科技配置和性能。大家可以根据自己的需求选择合适的版本和配置。希望这篇文章能帮到你们,祝大家都能买到心仪的小米汽车!耀
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如何在Cadence中仿真gm/id 想要了解如何在Cadence中进行gm/id仿真吗?这里有一份详细的指南,帮助你快速上手。 首先,你需要了解gm/id仿真的基本概念。gm/id是晶体管的一个重要参数,对于电路设计和优化至关重要。 寸 在Cadence中,你可以使用ADE explore工具来进行仿真。不过,实际上,直接使用ADE L进行仿真可能会更方便。以下是具体步骤: 1️⃣ 将mos管的W、L、Vgs、Vds等参数设置为变量,并导入ADE中。其中,Vds最好设置为Vdd/2,Vgs则可以通过DC仿真扫描一个范围,例如从0.2V开始扫描。 2️⃣ 进入parametric analysis,设置L的参数扫描范围。根据你的需求,选择合适的管子尺寸范围。 3️⃣ 在仿真NMOS时,主要参考vgs-gmid以及gmid-id/w这两种图进行设计。同时,也可以扫描出self-gain以及Ft的曲线,以观察整体变化趋势。 4️⃣ 仿真PMOS时,由于id是负数,记得在公式中加上绝对值函数abs()。 完成这些步骤后,你就可以轻松地进行gm/id仿真了。如果在这个过程中遇到任何问题,可以寻求专业人士的帮助。 젦握gm/id仿真技巧对于IC设计者来说至关重要。通过这份指南,你可以更快地熟悉Cadence的仿真流程,并应用于实际设计中。
「电视剧三生三世十里桃花」之「三生桃花众人合梦」为了他,负荆请罪我做得,为奴为婢也做得。痴情我认,糊涂也认。@Dear-迪丽热巴;总以为置身事外,猛回头却发现已情根深种,纵然已达“专注一趣”之境,也敌不过你搅乱一池春水。@深情的高伟光
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